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电子元器件详细资料 » IC[25666] » MUN5135DW1T1G
型号:MUN5135DW1T1G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧2222.2k
电阻器_发射极(R2)111欧22247k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)

供应商

深圳兴中扬电子科技有限公司张生0755-83747144
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市海虹微电子有限公司赵小姐086-0755-83291010 83678410
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市金启宁科技有限公司曾小姐82571829 29059095 83798256 82786758 82577629
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